西門子CPU226型號(hào)6ES7216-2AD23-0XB0
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6ES7216-2AD23-0XB0
SIMATIC S7-200,CPU 226緊湊型單元,DC 電源,24 DI DC/16 DO DC,16/24 KB代碼/10 KB數(shù)據(jù),2個(gè)PPI/自由端口
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西門子CPU226型號(hào)6ES7216-2AD23-0XB0
CPU 226 裝配有:
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設(shè)備種類 |
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種類 |
電源電壓 |
輸入電壓 |
輸出電壓 |
輸出電流 |
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24 V DC |
24 V DC |
24 V DC |
0.75 A, 晶體管 |
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85 … 264 V AC |
24 V DC |
24 V DC, |
2 A,繼電器 |
西門子CPU226型號(hào)6ES7216-2AD23-0XB0
編程
STEP 7-Micro/WIN32 V4 可以對(duì)所有 S7-200 CPU 進(jìn)行編程.
注意:
不能使用 STEP 7-Micro/DOS 對(duì) CPU 226 進(jìn)行編程。如果通過PG/PC的串口進(jìn)行編程,則額外需要PC/PPI電纜。當(dāng)使用STEP 7 Micro/Win V4編程時(shí),可以通過SIMATIC CP 5511 或 CP 5611進(jìn)行編程,以及通過編程器的MPI接口編程。此時(shí)最高傳輸速率為187.5 kbps。
Technical Specifications
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6ES7216-2AD23-0XB0 |
6ES7216-2BD23-0XB0 |
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電源電壓 |
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24 V DC |
√ |
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允許范圍,下限 (DC) |
20.4 V |
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允許范圍,上限 (DC) |
28.8 V |
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120 V AC |
√ |
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230 V AC |
√ |
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電源頻率 |
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63 Hz |
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負(fù)載電壓 L+ |
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24 V |
24 V |
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20.4 V |
5 V |
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28.8 V |
30 V |
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負(fù)載電壓L1 |
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100 V; 100 至 230 V AC |
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5 V |
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250 V |
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47 Hz |
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63 Hz |
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輸入電流 |
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突波電流,最大 |
28.8 V 時(shí) 10 A |
264 V 時(shí) 20 A |
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從電源L+ 供電,最大 |
1 050 mA;150 至 1050 mA 輸出電流,擴(kuò)展模塊 (DC 5 V) 1000 mA |
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從電源L1供電,最大 |
320 mA; 40 - 160 mA (240 V); 80 - 320 mA (120 V); 擴(kuò)展模塊輸出電流 (5 VDC) 1000 mA |
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編碼器電源 |
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24 V 編碼器電源 |
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√;允許范圍:15.4 至 28.8 V |
√;允許范圍:20.4 至 28.8 V |
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√; 400 mA 時(shí)電子式 |
√; 400 mA 時(shí)電子式 |
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400 mA |
400 mA |
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備用電池 |
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電池運(yùn)行 |
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100 小時(shí);(40 ℃ 時(shí),最短 70 小時(shí));帶有可選電池模塊時(shí),200 天(典型值) |
100 小時(shí);(40 ℃ 時(shí),最短 70 小時(shí));帶有可選電池模塊時(shí),200 天(典型值) |
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存儲(chǔ)器 |
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存儲(chǔ)模塊數(shù)量(選件) |
1,可插入存儲(chǔ)模塊,內(nèi)容存儲(chǔ)在內(nèi)置的EEPROM中,此外還可以存儲(chǔ)配方、數(shù)據(jù)記錄和其他文件。 |
1,可插入存儲(chǔ)模塊,內(nèi)容存儲(chǔ)在內(nèi)置的EEPROM中,此外還可以存儲(chǔ)配方、數(shù)據(jù)記錄和其他文件。 |
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數(shù)據(jù)和程序存儲(chǔ)器 |
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10 kbyte |
10 kbyte |
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24 KB;16 KB 用于運(yùn)行時(shí)編輯 |
24 KB;16 KB 用于運(yùn)行時(shí)編輯 |
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后備 |
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√;程序:集成 EEPROM 上的整個(gè)程序免維護(hù),可通過 CPU 編程;數(shù)據(jù):集成 EEPROM 上從編程器/PC 加載的整個(gè) DB 1 免維護(hù),RAM 中 DB 1 的電流值,通過高性能電容器,非易失性內(nèi)存位、計(jì)時(shí)器、計(jì)數(shù)器等免維護(hù);可選電池,用于長(zhǎng)期緩沖 |
√;程序:集成 EEPROM 上的整個(gè)程序免維護(hù),可通過 CPU 編程;數(shù)據(jù):集成 EEPROM 上從編程器/PC 加載的整個(gè) DB 1 免維護(hù),RAM 中 DB 1 的電流值,通過高性能電容器,非易失性內(nèi)存位、計(jì)時(shí)器、計(jì)數(shù)器等免維護(hù);可選電池,用于長(zhǎng)期緩沖 |
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CPU 處理時(shí)間 |
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位指令,最大 |
0.22 µs |
0.22 µs |
注:聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)說是在“傲立機(jī)床網(wǎng)”上看到的,謝謝!











